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SK hynix 的 iHBM 透過在 HBM 晶片中直接建構冷卻通道，解決次世代高頻寬記憶體（HBM）的散熱瓶頸。
SK hynix 的 iHBM 將矽基冷卻系統直接整合進 HBM 晶片，以解決散熱問題。
重點
- 新設計將熱阻降低超過 30%，並在高負載下維持效能。
- iHBM 將首先應用於預計於 2029 或 2030 年推出的 HBM5 記憶體。
- 此封裝與現有客戶佈局相容，無需重大架構重新設計。
- SK hynix 未來三年 HBM 客戶需求超過其生產能力。
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