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臺積電已公佈了截至 2029 年的最新技術發展藍圖，預計到 2029 年將推出 A13 和 A12 等先進製程。
由於成本問題，臺積電將在 2029 年前不會採用 ASML 的先進高 NA EUV 光刻裝置。
重點
- TSMC 的 A13 (1.3 奈米) 晶片，預計於 2029 年開始量產，相較於 A14，可以節省 6% 的面積。
- TSMC 的 A12 (1.2 奈米) 製程技術，將引入「背面供電」技術，預計在 2029 年推出。
- CoWoS 的封裝技術預計到 2028 年將擴充套件到 14 片晶體解決方案，並整合 10 個運算晶體和 20 條 HBM 堆疊。
- TSMC 的光學引擎將提供 2 倍的電力效率和 10 倍的延遲降低，預計 2026 年開始生產。
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