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三星代工使用環閘極（Gate-All-Around, GAA）電晶體於3奈米製程。
三星代工第二代3奈米GAA良率降至僅20%。
重點
- 三星第一代3奈米節點良率僅達50-60%，未達業界競爭門檻。
- 低良率導致連南韓晶片設計公司也從三星代工轉向台積電。
- 三星正開發代號「Ulysses」的2奈米節點，預計2027年Galaxy S27可能首度採用。
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