# 三星代工使用環閘極（Gate-All-Around, GAA）電晶體於3奈米製程。

*semiconductor · news · 2024-11-12 · PhoneArena*

## Key points

- 三星代工第二代3奈米GAA良率降至僅20%。
- 三星第一代3奈米節點良率僅達50-60%，未達業界競爭門檻。
- 低良率導致連南韓晶片設計公司也從三星代工轉向台積電。
- 三星正開發代號「Ulysses」的2奈米節點，預計2027年Galaxy S27可能首度採用。

**Companies:** Samsung, TSMC
**Countries:** South Korea

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Canonical: https://newsio.io/zh-TW/n/4f98d0d1-e59a-4130-87cd-00c8fd58abfa/gate-all-around-gaa3
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