semiconductor / news / / TechSpot
Intel 野心勃勃的 18A 製程在接近量產階段面臨兩大挑戰：良率低於 10% 以及與台積電競爭的 N2 製程相比，SRAM 密度存在關鍵劣勢。
Intel 的 18A 製程良率低於 10%，距離商業可行性尚遠。
重點
- Intel 18A 的 SRAM 密度落後台積電 N2，僅達 31.8Mb/mm²，台積電為 38Mb/mm²。
- Intel 取消了面向客戶的 20A 製程，將策略與資源轉向 18A 開發。
- 若 18A 良率近期無顯著提升，Intel 2025 年產品路線圖將面臨重大風險。
相關公司
由 Newsio 自 TechSpot 摘要整理。 摘要方式說明 →