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英特爾的 Foundry 解決方案，將為下一代資料中心和網路提供強大的效能，藉由全球最薄的 GaN 晶片。
英特爾 Foundry 成功製造出世界上最薄的 GaN 晶片，厚度僅 19 微米。
重點
- 這個晶片整合了氮化鎵（GaN）晶體和基於矽的數位電路，於同一片晶體上實現。
- 這項技術消除了需要單獨的輔助晶片的需求，從而減少了能量損耗和尺寸。
- GaN 晶片可以在 200 GHz 以上的高頻下高效運作，有助於支援下一代 5G 和 6G 網路。 [GaN 晶片可以在 200 GHz 以上的高頻下高效運作，有助於支援下一代 5G 和 6G 網路。]
- 英特爾的GaN晶片採用標準的300毫米矽晶圓製造，這使得業界更容易採用。
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